BSIM4による90nm n-channel MOSFETの Hot Electronの劣化特性モデル化に関する研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14062

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/07/04

タイトル(英語): BSIM4 Modeling of 90nm n-MOSFET Characteristics Degradation Due to Hot Electron

著者名: 戸塚 拓也(群馬大学),青木 均(群馬大学),安部 文隆(群馬大学),Khatami Ramin(群馬大学),新井 薫子(群馬大学),轟 俊一郎(群馬大学),香積 正基(群馬大学),王 太峰(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)

著者名(英語): Takuya Totsuka(Gunma University),Hitoshi Aoki(Gunma University),Fumitaka Abe(Gunma University),Ramin Khatami(Gunma University),Yukiko Arai(Gunma University),Shunichiro Todoroki(Gunma University),Masaki Kazumi(Gunma University),Taifeng Wang(Gunma University),Haruo Kobayashi(Gunma University)

キーワード: モデリング|１／ｆ雑音|劣化|ＢＳＩＭ４|BSIM4|modeling|degradation|1/f noise|MOSFET

要約(日本語): 本研究は，n-チャネルMOSFETの特性をモデル化し，これをBSIM4モデルに反映させ，その後1/f雑音特性の劣化モデルを開発することを目的としている．今回は，ホットエレクトロンによるドレイン電流劣化モデルを搭載し，フレッシュな電流特性が劣化する様子をシミュレートする．さらに，1/fノイズをフレッシュな状態での測定を行い、ドレイン電流劣化モデルが1/fノイズ特性に与える影響をBSIM4モデルを用いてシミュレーションで示す。なお，フレッシュな状態のモデルパラメータは作成したトランジスターTEGを測定して抽出している．

要約(英語): The final purpose of this study is to model the drain current and 1/f noisedegradation characteristics of n-channel MOSFETs.In this report, we present the implementation of Hot Carrier Degradationintodrain current equations of BSIM4 model. Then, the simulations of the DCdrain current degradationwill be shown. 1/f noise voltage density simulation affected by the draincurrent degradationwill also be shown. BSIM4 model parameters have been extracted extensivelywith measured data includingI-V and 1/f noise measurement of our TEGs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,373 Kバイト