しきい値電圧制御による低Gm線形トランスコンダクタの一構成法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14076

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/10/09

タイトル(英語): A Low-Transconductance Linear Transconductor Utilizing Control of a Threshold Voltage

著者名: 大淵 武史(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校)

著者名(英語): Takeshi Ohbuchi(National Defense Academy),Fujihiko Matsumoto(National Defense Academy)

キーワード: アナログ集積回路|トランスコンダクタ|弱反転領域|低電力回路|基板バイアス効果|しきい値電圧制御

要約(日本語): 生体信号処理に用いる低周波アクティブフィルタへの応用を考え、過去に弱反転領域で動作をする局所負帰還型トMOSランスコンダクタを基に線形性を改善した低Gm線形トランスコンダクタを提案した。本報告では、さらなる線形性改善のために基板バイアス効果によるしきい値電圧制御を利用した線形トランスコンダクタを提案する。提案回路の妥当性はシミュレーションにより確認する。

要約(英語): For medical devices, low frequency applications are required. Thus, a linear transconductor which has a very low transconductance is needed. This paper proposes an improved local-feedback MOS transconductor utilizing control of a threshold voltage using body effect. The characteristics of the proposed transconductor are confirmed by simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,020 Kバイト