IGBTの静特性における複数のプロセス・デバイス特性を考慮した高精度マクロモデルの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14077

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/10/09

タイトル(英語): A Study of High Precision IGBT Macro-Model Considering in Static Characteristic With Different Process Devices

著者名: 香積 正基(群馬大学),青木 均(群馬大学),新井 薫子(群馬大学),Khatami Ramin(群馬大学),轟 俊一郎(群馬大学),戸塚 拓也(群馬大学),安部 文隆(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)

著者名(英語): Masaki Kazumi(Gunma University),Hitoshi Aoki(Gunma University),Yukiko Arai(Gunma University),Ramin Khatami(Gunma University),Shunichiro Todoroki(Gunma University),Takuya Totsuka(Gunma University),Takafumi Abe(Gunma University),Haruo Kobayashi(Gunma University)

キーワード: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ|ＩＧＢＴ|モデリング|マクロモデル|ＳＰＩＣＥ|Insulated Gate Bipolar Transistor|IGBT|Modeling|Macro Model|SPICE

要約(日本語): 本研究は，IGBTのSPICE用モデルを，SPICEの基本エレメントを組み合わせて開発する．今回は作成したモデルを，２種類のプロセスによるデスクリートデバイスモジュールの測定データからパラメータ抽出を行い,それぞれのドレイン電流静特性について評価して良好な結果を得たので報告する．

要約(英語): In this study, a novel SPICE model of IGBT that consists of basic SPICE elements has been developed. This paper reports the results of these drain current characteristics with two different process devices by using the proposed IGBT macro-model.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,708 Kバイト