汎用半導体プロセスによる高性能VCXO用ICの実現方法(その回路構成と評価結果)
汎用半導体プロセスによる高性能VCXO用ICの実現方法(その回路構成と評価結果)
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ECT14085
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会
発行日: 2014/11/21
タイトル(英語): An Implementation Method for High Performance VCXO-IC by using a General Purpose Semiconductor Process (its Circuit Architecture and evaluation results)
著者名: 高橋 豊(日本電波工業),篠塚 利幸(日本電波工業),国友 大裕(日本電波工業),石丸 千里(日本電波工業),村瀬 重善(日本電波工業),赤池 和男(日本電波工業)
著者名(英語): Yutaka Takahashi(NIHON DEMPA KOGYO Co.,Ltd),Toshiyuki Shinotsuka(NIHON DEMPA KOGYO Co.,Ltd),Hiroyasu Kunitomo(NIHON DEMPA KOGYO Co.,Ltd),Chisato Ishimaru(NIHON DEMPA KOGYO Co.,Ltd),Shigeyoshi Murase(NIHON DEMPA KOGYO Co.,Ltd),Kazuo Akaike(NIHON DEMPA KOGYO Co.,Ltd)
キーワード: 電圧制御型水晶発振器(VCXO)|集積回路|MOS型バラクター|BiCMOS|差動PIERCE|Voltage Controlled Crystal Oscillator (VCXO)|Integrated Circuits (IC)|MOS Varactor|BiCMOS|Differential PIEARCE
要約(日本語): この論文は、汎用の半導体プロセスを用い高性能VCXOを実現する回路構成について報告する。低雑音、広可変周波数範囲、高直線性を同時に実現するために、多段型MOSバラクターと差動PIERCE回路を用いた。設計されたICは、122.88MHzの振動子を用い、+/- 115 ppmの可変範囲、4%の線形性と -148 dBc/Hz at 10 kHz offset frequency の位相雑音を実現した。
要約(英語): This paper describes a circuit architecture of integrated circuits applied to the development of a high performance voltage controlled crystal oscillator using a general purpose semiconductor process. By using multi-stage MOS varactor arrays and a differential PIERCE circuit, a VCXO-IC was developed which simultaneously realize low noise, wide variable range and high linearity. The designed IC has achieved +/- 115 ppm output frequency variation range with 4% linearity and -148 dBc/Hz phase noise at 10 kHz offset frequency by using 122.88 MHz fundamental AT-cut crystal resonator.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 892 Kバイト
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