(K,Na)NbO3-CaTiO3圧電薄膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14088

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/11/21

タイトル(英語): Preparation of (K,Na)NbO3-CaTiO3 piezoelectric film

著者名: 池内 伸介(村田製作所)

著者名(英語): Shinsuke Ikeuchi(Murata Manufacturing Co., Ltd.)

キーワード: 圧電|薄膜|非鉛|piezo|film|lead-free

要約(日本語): Pb(Zr,Ti)O3（PZT）薄膜は、圧電定数が高くMEMSアクチュエータデバイスへの応用が期待されるが、有害な鉛を含んでいる。一方、(K,Na)NbO3（KNN）薄膜は非鉛であるが、PZT薄膜に対し圧電定数が低い。そこで本研究では、CaTiO3を添加したKNN（KNN-CT）薄膜を検討し、結果としてPZT薄膜並みの圧電定数を示すKNN-CT薄膜を実現した。

要約(英語): Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) films are expected to apply for MEMS actuator devices because of their excellent piezoelectric coefficient but contain harmful Pb. On the other hand, (K,Na)NbO3 (KNN) films are Pb-free but have lower piezoelectric coefficient than PZT films. In this study, we achieved CaTiO3-added KNN (KNN-CT) films which exhibit good piezoelectric constant equivalent to PZT films.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 665 Kバイト