コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14089

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/11/21

タイトル(英語): Crystalline Oxide Thin Film Fabrication Using Crystal Contact Epitaxy Technique

著者名: 野毛 悟(沼津工業高等専門学校)

著者名(英語): Satoru Noge(National Institute of Technology, Numazu College)

キーワード: ＹＩＧ|セリウム置換ＹＩＧ|単結晶薄膜|エピタキシャル|熱処理|YIG|Cerium Substituted YIG|Single Crystal Film|Epitaxial|Thermal Treatment

要約(日本語): 報告は下地基板の影響を抑えた結晶薄膜形成技術であるコンタクトエピタキシャル法について述べている．対象として磁気光学材料の一つであるセリウム置換イットリウム鉄ガーネットCexY(3-x)Fe5O12（Ce:YIG）の結晶薄膜の形成について検討中である．セリウム置換量をx=1.5とした場合の処理条件について実験を行い，熱処理条件などを調べた．セリウム置換量が増えた場合も，従来とほぼ同様に薄膜形成が行えることを確認できた．

要約(英語): This paper was described the contact epitaxial method that is the crystal thin-film formation technology in which the influence of the substrate was suppressed. The crystal thin film of cerium substitution yttrium iron Garnett CexY(3-x) Fe5O12 (Ce:YIG) that is one of the magneto-optics materials as an object. It experimented about the processing conditions at the amount of cerium substitution to x= 1.5, and investigated the heat treatment condition.

原稿種別: 日本語

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