抵抗領域て?動作する MOSFET を用いた低電源電圧・高線形電圧増幅回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT14098

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2014/12/19

タイトル(英語): Low-voltage, Linear Amplifier Using Triode Region MOSFETs

著者名: 佐藤 広生(東京工業大学),高木 茂孝(東京工業大学)

著者名(英語): Hiroki Sato(Tokyo Institute of Technology),Shigetaka Takagi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 抵抗領域|　電圧増幅回路|電流フォロワ|線形性|triode region|voltage amplifier|current follower,|linearity

要約(日本語): 　本稿て?は、MOSFET の持つ非線形な特性を相殺して回 路全体の入出力特性を線形化し、低電源電圧て?設計可能か つ高い線形性を持つ電圧増幅回路として応用可能な新たな 回路構造を提案する。電圧増幅を実現する基本的な原理は 演算増幅器のそれと同等て?あり、演算増幅器を用いて構成 された信号処理回路の一部は、そのまま提案回路て?置き換 えることか?可能て?ある。

要約(英語): This paper proposes a voltage amplifier with improved linearity and affinity for low supply voltage. It is based on an well-known concept used in a voltage amplifier configuration by using an operational amplifier, and implemented by using two voltage followers and a current follower instead. The current follower consists of MOSFETs operating in the triode region. Simulation results by using MOSFET parameters of 0.18μm standard CMOS technology show its feasibility.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,103 Kバイト