アクティブインダクタを用いたBalun-LNAの広帯域化に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT15010

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2015/01/22

タイトル(英語): A study on a design of a balun-LNA with an active inductor for improved bandwidth

著者名: 高橋 渓輔(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),松浦 達治(東京理科大学)

著者名(英語): Takahashi Keisuke(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Matsuura Tatsuji(Tokyo University of Science)

キーワード: ＣＭＯＳ|低雑音増幅器|広帯域動作|CMOS|Low Noise Amplifier|Improved Bandwidth

要約(日本語): LNAでは低雑音かつ高い線形性が求められている。そこで低雑音LNAのCG段の?次高調波歪みを抑える検討が行われている。しかしこの手法はトランスコンダクタンスの値も変化してしまうため、使用帯域が狭まるという欠点を持っている。本稿では、電流源として用いていたMOSFETをアクティブインダクタとして動作させることで、トランスコンダクタンスを補償し、誘導成分によって入力インピーダンスの共振点を高周波側へずらすことを検討する。

要約(英語): Input impedance matching is important for a Wideband Low Noise Amplifier(LNA). In this paper, we study the balun(balance to unbalance) LNA having an active inductor to widen the bandwidth. Conventional common gate stage MOS current source at the input of the LNA is modified to operate as an active inductor.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,240 Kバイト