チョークコイルのQ値を考慮したE級電力増幅回路の設計に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT15016

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2015/01/22

タイトル(英語): A Study on Design of Class-E Power Amplifier with a Finite Q DC-Feed Inductor

著者名: 佐藤 智朗(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),松浦 達治(東京理科大学)

著者名(英語): Sato Tomoaki(Tokyo University of Science),Hyogo Akira(Tokyo University of Science),Matsuura Tatsuji(Tokyo University of Science)

キーワード: ＣＭＯＳ|高周波|Ｅ級電力増幅回路|Ｑ値|CMOS|RF|Class-E Power Amplifier|Quality factor

要約(日本語): 従来のE級電力増幅回路の設計は全ての素子は理想素子として設計を行われていた。しかし、実際の素子には寄生素子が含まれており、特に寄生抵抗は電力消費を引き起こす。その結果出力電力は減少する。本研究ではチョークコイルのQ値を考慮した設計を提案する。シミュレーションの結果Q値が低い場合でも所望の出力電力を達成できた。

要約(英語): A conventional design of a class-E power amplifier(PA) uses an ideal component for all circuit elements. However a real component inevitably includes a parasitic component, and in particular, parasitic resistance of an inductor causes extra power dissipation in the PA. As a result, the output power of the PA is decreased. In this paper, we propose a design method of class-E PA with a finite Q dc-feed inductor. Simulation results show that, even when Q value is low, the desired output power can be achieved by this design method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,167 Kバイト