チャージポンプ回路内におけるVth降下分を補償するための手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT15034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): The method of compensating the threshold voltage drop in charge pump circuit

著者名: 三村 優(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Suguru Mimura(Meiji University Graduate School),kazuyuki wada(Meiji University Graduate School)

キーワード: チャージポンプ|しきい電圧|ダイオード接続したＭＯＳＦＥＴ|charge pump|a threshold voltage|the diode connected MOSFET

要約(日本語): チャージポンプ回路内でダイオード接続したトランジスタをスイッチとして用いると、出力電圧がそのトランジスタのしきい値分低下してしまう問題がある。そこで、トランジスタのゲートとドレインの間に擬似的に電池を入れることができるスイッチ回路の構成を提案している。その構成により、しきい電圧分の出力低下を補償することができ、より高い電圧を出力することができる。また、そのスイッチ回路の汎用性を検討している。

要約(英語): There is a problem that output voltage of charge pump circuit is dropped by a threshold voltage of the diode connected transistor used as a switch.The circuit structure where a capacitor equivalent to a battery is inserted between gate and drain terminals of switching transistor is proposed in this paper. An output reduction by threshold voltage is compensated and high output voltage is obtained by using the structure of switching circuit. A versatility of the switching circuit is examined.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,202 Kバイト