MOSFETのみを用いた小面積参照電圧源回路の構成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT15035

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2015/03/05

タイトル(英語): Area-efficient Voltage Reference Using Only MOSFETs

著者名: 岩崎 大樹(東京工業大学),佐藤 広生(東京工業大学),高木 茂孝(東京工業大学)

著者名(英語): Daiki Iwasaki(Tokyo Institute of Technology),Hiroki Sato(Tokyo Institute of Technology),Shigetaka Takagi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ＣＭＯＳ|参照電圧源|弱反転領域|強反転飽和領域|小面積|CMOS |voltage reference|subthreshold region|saturation region|area efficient

要約(日本語): MOSFETのみで構成した低消費電流・小面積参照電圧源回路を提案する。提案回路は弱反転領域MOSFETで構成した熱電圧生成回路と強反転領域領域MOSFETで構成したしきい電圧レベルシフト回路から成り立っている。提案回路はMOSFETのアスペクト比を適切に調節することで熱電圧としきい電圧の一次の温度係数を相殺し、温度依存性の小さい電圧を出力する。提案回路の有効性を計算機シミュレーションによって確認している。

要約(英語): In this paper, an area-efficient voltage reference by using only MOSFETs is proposed. To reduce current consumption, this circuit uses MOSFETs operating in the subthreshold region, and ones operating in the saturation region for smaller chip area. Characteristics of the circuit are simulated by SPICE with 0.18um standard CMOS parameters.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,067 Kバイト