大規模ANNのためのニューロモーフィックデバイスに対する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT15090

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2015/11/13

タイトル(英語): A Study on a Neuromorphic Device for Large Scale Artificial Neural Networks

著者名: 戸泉 孝太(日本大学),佐伯 勝敏(日本大学),関根 好文(日本大学)

著者名(英語): Takahiro Toizumi(Nihon University),katsutoshi Saeki(Nihon University),Yoshihumi Sekine(Nihon University)

キーワード: ＡＮＮ|実装面積|寄生容量|ニューロモーフィックデバイス|Artifical Neural Network|Mounting Area|Parasitic Capacitance|Neuromorphic

要約(日本語): 近年，生体の情報処理機構をモデル化し，工学的に応用しようとする研究が行われている。しかし，生体の情報処理機構をモデル化する場合，大規模なニューラルネットワークを構築する必要があり，細部体モデルが生体で持っている特徴を有し、実装面積を小さくする必要がある。　　本稿では，NMOSのみで構成し，コンデンサを寄生容量で構成することで実装面積を削減したニューロモーフィックデバイスの構築について検討を行ったので報告する。

要約(英語): A number of studies of neural networks have recently been undertaken with the purpose of applying engineering to the brain. When the large scale Artificial Neural Network (ANN) is constructed, it is desirable that a neuromorphic device constructing the ANN is small.In this paper, we examined the reduction in the neuromorphic device by configuring in the parasitic capacitances and N channel type MOSFETs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 712 Kバイト