Hi-simHVを用いたオン抵抗の劣化モデルの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT16020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2016/03/07

タイトル(英語): The development of deterioration models for on-resistance with a Hi-simHV

著者名: 戸塚 拓也(群馬大学),青木 均(群馬大学),築地 伸和(群馬大学),香積 正基(群馬大学),東野 将史(群馬大学),澁谷 将平(群馬大学),栗原 圭汰(群馬大学),小林 春夫(群馬大学)

著者名(英語): Takuya Totsuka(Gunma university),Hitoshi Aoki(Gunma university),Nobukazu Tsukiji(Gunma university),Masaki Kazumi(Gunma university),Masashi Higashino(Gunma university),Shohei Shibuya(Gunma university),Keita Kurihara(Gunma university),Haruo Kobayashi(Gunma university)

キーワード: ＬＤＭＯＳ|トランジスタ|モデリング|ホットエレクトロン|劣化|Ｈｉ－ｓｉｍＨＶ|LDMOS|Transistor|modeling|Hot electron|degradation|Hi-simHV

要約(日本語): 近年、耐圧を高くできるLDMOSが注目されている。そのため、LDMOSは高温、高電圧、高電流下における劣悪な環境で使用さる。オン抵抗の増加などにより電気特性が徐々に劣化してしまう。劣化要因の解析を行いモデルに組み込むことで表現できるように研究を進めている。本発表では、米国CMC推奨モデルのHiSIM-HVを用い、オン抵抗モデルパラメータに方程式を埋め込み経時劣化をシミュレートした結果を言及する。

要約(英語): We propose the LDMOS degradation model with HiSIM-HV2.2.0. We have developed drift resistance degradation equations to be simulated with HiSIM-HV. Drain current model parameters are extracted with measured data of an LDMOS. Then, the simulation result of the DC drain current degradation due to HCI will be shown with measurement.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,422 Kバイト