SiCパワーMOSFETを用いた直交合成方式中波AM放送機の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT16031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2016/03/07

タイトル(英語): Development of an orthogonal combined type Medium-wave AM transmitter using SiC power MOSFET

著者名: 金古 亮平(NHK技術局　菖蒲久喜ラジオ放送所),森山 健(NHK技術局　菖蒲久喜ラジオ放送所),酒井 渉(NHK技術局　菖蒲久喜ラジオ放送所),窪田 和人(NHK技術局　菖蒲久喜ラジオ放送所),山添 雅彦(NHK技術局　菖蒲久喜ラジオ放送所)

著者名(英語): Ryouhei Kaneko(NHK SHOBU-KUKI Transmitting Station),Tatsuru Moriyama(NHK SHOBU-KUKI Transmitting Station),Wataru Sakai(NHK SHOBU-KUKI Transmitting Station),Kazuto Kubota(NHK SHOBU-KUKI Transmitting Station),Masahiko Yamazoe(NHK SHOBU-KUKI Transmitting Station)

キーワード: 中波帯|直交合成|ＳｉＣ|ＰＳＭ|Medium-wave|Orthogonal combine|SiC|PSM

要約(日本語): 負荷変動時の送信機保護を可能とし，高品質かつ高効率なシリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFETを用いた直交合成方式中波AM 送信機を考案・実現させた．PA (Power Amplifier）とPSM(Pulse Step Modulation)モジュールのデバイスにSiCパワーMOSFET を使用し，PA 出力電力効率93.6％の高い効率を確認した．変調特性はS/N 74.4dB，ひずみ率 5％以下を実現した．

要約(英語): NHK and NHK-ITEC developed an orthogonal combined type Medium-wave AM transmitter using SiC power MOSFETs. This transmitter used SiC power MOSFETs in the modulation and amplification sections. The output power efficiency of 93.6% and S/N of over 74.4 dB and distortion factor of less than 5% were achieved.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,170 Kバイト