2帯域動作可能なＥ級電力増幅回路に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT16050

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2016/06/09

タイトル(英語): A study on dual band Class-E Power Amplifiers

著者名: 伊藤 拓也(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),松浦 達治(東京理科大学)

著者名(英語): Takuya Ito(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Tatsuji Matsuura(Tokyo University of Science)

キーワード: ＣＭＯＳ|高周波|Ｅ級電力増幅回路|２帯域|CMOS|RF|Class-E Power Amplifier|Dual Band

要約(日本語): 私たちは周波数切り替えスイッチを必要としない２帯域で動作するE級電力増幅回路を提案する。提案回路において920Mhzと2.4GHzにおいて動作する。E級電力増幅回路は設計式によって素子値は導き出される。E級電力増幅回路の全ての素子値が２帯域で一致することはない。しかし、一部の素子値(LシャントキャパシタC)は一致させることができる。そのため、残りの素子値２帯域で整合回路によって同じものとすることができる。結果、２帯域で切り替えスイッチを必要とせずに動作することが可能となる。シミュレーションにおいて２帯域で動作することを確認した。

要約(英語): In this paper, we proposed dual band Class -E Power Amplifier without frequency switching. The proposed circuit operates on two frequency band of 920MHz and 2.4GHz. Class-E power amplifier’s element values are determined from design equation. Normally all element values are not equal in two bands. But part of element values (shunt capacitance C, VDD inductor L) can be made equal in two bands by design. Other circuit is an impedance matching circuit, which works as a different impedance matching for high and low frequency bands. As a result, the proposed circuit is enabled to work in 2 bands without a changeover switch. In a simulation, we confirmed that the proposed circuit operates in two bands without frequency switching.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 627 Kバイト