弱反転領域動作OTA回路を用いたPTAT電流発生回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT16109

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2016/12/15

タイトル(英語): PTAT Current Reference Using Subthreshold OTA Cuircuit

著者名: 山﨑 大輝(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Daiki Yamazaki(Meiji university),kawori Sekine(Meiji university)

キーワード: 弱変転領域|ＯＴＡ|ＰＴＡＴ|低電源|Subthreshold|OTA|proportional to absolute temperature (PTAT)|low power supply voltage

要約(日本語): 本研究では、弱反転領域動作OTA回路を用いたPTAT電流源を提案する。本提案回路では、CMOS180nmプロセスを用いて設計を行った。今回、27℃におけるPTAT電流を100nAとし設計を行った。また、電源電圧0.6~1.8Vの低電源動作を実現し、温度整数2.1nA/K、電源電圧に対するPTAT電流の誤差は5.2%となっている。

要約(英語): A PTAT current reference using subthreshold OTA circuit is proposed. The proposed circuit is designed in CMOS 180nm process. The PTAT current reference outputs 100nA current at 27 ℃. The proposed circuit operates under low power supply voltage from 0.6 V to 1.8 V. Simulation results show that temperature coefficient is 2.1nA/K and PTAT current sensitivity for supply voltage is 5.2%/V.

原稿種別: 日本語

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