回路応用としての８角形MOSFETの評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT17019

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2017/01/20

タイトル(英語): An Evaluation of Octagonal MOSFET for CMOS Circuit.

著者名: 伊藤 由多(山形大学),貝和 航陽(山形大学),小嶋 文也(山形大学),原田 知親(山形大学)

著者名(英語): Yuta Ito(Yamagata University),Koyo Kaiwa(Yamagata University),Fumiya Kojima(Yamagata University),Tomochika Harada(Yamagata University)

キーワード: ８角形ＭＯＳＦＥＴ|回路応用|octagonal MOSFET|application for circuit design

要約(日本語): 先行研究から、８角形MOSFETが応力、温度、磁気センサとして利用可能であること、通常のトランジスタとして動作することがわかっている。そこで、本研究では、８角形MOSFETの回路応用として、Drain-Source端子の組み合わせを変えることによって、MOSFETのサイズそのものを変えずに、MOSFETのチャネル長L、チャネル幅Wを変えることができるかどうか評価を行った。

要約(英語): In previous research, we have already shown that octagonal MOSFET is available for strain, temperature, and hole sensor and MOSFET operation. In this paper, we evaluate octagonal MOSFET as the parts of CMOS circuits using only reattaching source and drain electrode without resizing gate length and width of the MOSFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,019 Kバイト