バーチャルグランド構造を有する断熱的FinFET SRAM

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT17055

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2017/07/20

タイトル(英語): Adiabatic FinFET SRAM with Virtual Ground Structure

著者名: 伊藤 凜太郎(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学),関根 敏和(岐阜大学)

著者名(英語): Rintaro Itoh(Gifu University),Yasuhiro Takahashi(Gifu University),Toshikazu Sekine(Gifu University)

キーワード: ＦｉｎＦＥＴ|断熱的論理|仮想接地|FinFET|Adiabatic logic|Virtual ground

要約(日本語): 本論文ではバーチャルグランド構造を有する断熱的FinFET SRAMを提案する．従来のバーチャルグランド構造SRAM，漏れ電流は低下していたが読込時の貫通電流が問題となっていた．本回路では6T-SRAMにバーチャルグランドと読込回路を付与し10T-SRAM構造にすることで，貫通電流の発生を防ぐ．また，FinFETの使用と断熱的動作の適用により省電力化を図る．

要約(英語): We propose a new adiabatic FinFET SRAM with virtual ground structure. The previously proposed SRAM using a virtual ground has low-leak current characteristics, but has large inrush current when reading mode. To reduce the inrush-current, the proposed SRAM is composed of a 10T cell structure which has a virtual ground and data read circuit. Also using FinFET and applying adiabatic principle, the proposed SRAM is saves energy more effectively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 894 Kバイト