ニューロンMOSFETを用いたG級アンプのためのチャージポンプ電源回路の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT17065

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2017/07/21

タイトル(英語): Charge Pump for Class-G Amplifier with Neuron MOSFETs

著者名: 松田 佑樹(有明工業高等専門学校),清水 暁生(有明工業高等専門学校),石川 洋平(有明工業高等専門学校),深井 澄夫(佐賀大学),野口 卓朗(有明工業高等専門学校)

著者名(英語): Yuki Matsuda(National Institute of Technology, Ariake College),Akio Shimizu(National Institute of Technology, Ariake College),Yohei Ishikawa(National Institute of Technology, Ariake College),Sumio Fukai(Saga University),Takurou Noguchi(National Institute of Technology, Ariake College)

キーワード: Ｇ級アンプ|ニューロンＭＯＳＦＥＴ|バッファ|チャージポンプ|Class-G amplifier|Neuron MOSFET|Buffer|ChargeｰPump

要約(日本語): スマートフォンなどの低電力モバイル機器では，低電力かつ高音質なアンプを実現するため，G級アンプを採用している。従来のG級アンプでは，低電力モバイル機器に適用するために，AB級とB級の二つのアンプが必要である。我々はニューロンMOSを用いることで一つのアンプでG級動作するG級ヘッドホンドライバーを提案した。本研究では，モバイル機器の電源から提案アンプの電源電圧を生成するチャージポンプ電源回路を検討する。

要約(英語): Class-G amplifier is adopted for low-power mobile devices such as smart phones.Conventional Class-G amplifiers consist of Class-AB and B amplifiers. To reduce area, we proposed the Class-G amplifier with neuron MOSFETs. In this paper, charge-pump circuits are proposed for Class-G amplifier with neuron MOSFETs.

原稿種別: 日本語

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