Drowsyキャッシュによる断熱的FinFET SRAM

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT17067

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2017/07/21

タイトル(英語): Drowsy Cache Type Adiabatic FinFET SRAM

著者名: 田中 友貴(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学),関根 敏和(岐阜大学)

著者名(英語): Tomotaka Tanaka(Gifu University),Yasuhiro Takahashi(Gifu University),Toshikazu Sekine(Gifu University)

キーワード: ＦｉｎＦＥＴ|断熱的論理|ドロジーキャッシュ|ＳＲＡＭ|FinFET|Adiabatic Logic|Drowsy cache|SRAM

要約(日本語): 本論文では，Drowsyキャッシュタイプの断熱的FinFET SRAM を提案する．FinFETを使用することでSRAMの回路面積と消費電力を小さくし，SRAMの回路の電源部分に，周期波電源を使用することによる「エネルギー回生技術」と論理遷移の際に電源の電位差をなくすことで動的電力やサブスレッショルド漏れ電流を低減できる「ゼロ電圧スイッチング技術」を用い，従来よりも消費エネルギーを約18％削減している．

要約(英語): This paper proposes a new Drowsy cache type adiabatic FinFET SRAM. Using a FinFET technology, The area and power dissipation of the proposed Drowsy adiabatic SRAM are reduced compared with the conventional CMOS. Also, as a result of using the adiabatic principle, the energy dissipation of the proposed circuit is reduced by 18%.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 977 Kバイト