CMOSイメージセンサーカラムADC回路技術の歴史と課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT17111

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2017/10/12

タイトル(英語): Consideration of CMOS Image Sensor Column ADC Design History and Issues

著者名: 岩田 公一郎(キヤノン),斉藤 和宏(キヤノン),板野 哲也(キヤノン),大村 昌伸(キヤノン),中村 恒一(キヤノン),熊谷 知也(キヤノン),吉田 大介(キヤノン),新谷 悟(キヤノン)

著者名(英語): Koichiro Iwata(Canon Inc.),Kazuhiro Saito(Canon Inc.),Tetsuya Itano(Canon Inc.),Masanobu Oomura(Canon Inc.),Koichi Nakamura(Canon Inc.),Tomoya Kumagai(Canon Inc.),Daisuke Yoshida(Canon Inc.),Satoru Shingai(Canon Inc.)

キーワード: カラムＡＤＣ|ＣＭＯＳイメージセンサー|共通リファレンス回路|ＡＣクロストーク|Column ADC|CMOS Image Sensor|Common reference circuit|AC crosstalk

要約(日本語): かつての低集積なＢＪＴアナログ時代は、素子数の制約の中でも数々のＡ／Ｄ変換器が考案設計されてきた。その後ＣＭＯＳミクスドシグナル設計による、高集積性を生かした設計手法が長年生かされてきたが、ＣＭＯＳイメージセンサーにおける需要を満たすカラムＡ／Ｄはその並列集積故に素子数制約の中での設計が要求されるようになり、独特の課題解決を強いられることになった。

要約(英語): In history, ADC design on BJT Process used to be forced to minimize the　scale of circuitry due to the low density integration on die. In CMOS　design, the design has been taken advantage in the high density　integration with large　circuitry scale of the architecture. Now Column　ADC of CMOS Image sensor is going backforward due to the parallelized　circuitry and small circuitry space. As the result, the design　requires　the unique solution against the current CMOS mixed-signal solution.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,313 Kバイト