FinFET 4T-SRAMの閾値ばらつきを考慮したSNMと読込，書込評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT17114

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2017/10/13

タイトル(英語): SNM, Read and Write Characteristics Evaluation of Fin-FET SRAM with Threshold Voltage Variation

著者名: 分元 涼太(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学),関根 敏和(岐阜大学)

著者名(英語): Ryota Wakemoto(Gifu University),Yasuhiro Takahashi(Gifu University),Toshikazu Sekine(Gifu University)

キーワード: ＳＲＡＭ|ＦｉｎＦＥＴ|低電圧|低消費電力|ＳＮＭ|SRAM|FinFET|low voltage|low power |SNM

要約(日本語): 本論文ではニアスレッショルド領域，差動書込，シングルエンド読込で動作する4T-SRAMを提案する．提案回路は，読込安定性と書込速度改善のため，セル間で共通の書込，読込回路を付加し安定性を高めている． 20nm PTMプロセス，電源電圧500mV，閾値電圧ばらつきがある状態でのHSPICE結果から，動作安定性(SNM) が既回路と同程度，書込時間は短く，書込時の消費エネルギーが少ないことが分かった．

要約(英語): This paper presents a new FinFET 4T-SRAM design which operates in near threshold region with differential write and single-end read operations. To improve the read margin and the write　stability, a write/read assist circuit is added to the proposed SRAM. From the HSPICE simulation results in 20nm PTM, the proposed circuit has the same SNM, a shorter writing time and smaller energy dissipation compared with the conventional one.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 850 Kバイト