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CMOSイメージャにおける列間クロストークの要因と対策

CMOSイメージャにおける列間クロストークの要因と対策

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18006

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/01/18

タイトル(英語): Factors and Countermeasures for crosstalk between Column circuits in CMOS imager

著者名: 小林 大祐(キヤノン),吉田 大介(キヤノン),大村 昌伸(キヤノン),白井 誉浩(キヤノン),新谷 悟(キヤノン)

著者名(英語): Daisuke Kobayashi(Canon Inc.),Daisuke Yoshida(Canon Inc.),Masanobu Oomura(Canon Inc.),Takahiro Shirai(Canon Inc.),Satoru Shingai(Canon Inc.)

キーワード: 列回路|CMOSイメージャ|クロストーク|Column circuit|CMOS Imager|Crosstalk

要約(日本語): 近年のレンズ交換式デジタルカメラは、低照度下で高品質な画像を取得可能な、高ゲインモードを搭載している。CMOSイメージャが高ゲインモードに対応するためには、列回路間のクロストークを小さくすることが重要である。本発表では列回路間のクロストークに関し、その要因を挙げるとともに、対策方法について述べる。

要約(英語): Recent lense interchangeable cameras have a high gain mode capable of acquiring high quality images under low illuminance. In order for the CMOS imager to correspond to the high gain mode, it is important to reduce crosstalk between column circuits. In this presentation, we will discuss the factors related to crosstalk between column circuits and how to deal with them.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 770 Kバイト

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