CMOSイメージセンサの読み出し回路におけるスイッチングノイズ低減手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/06/15

タイトル(英語): Design Methodology for Switching Noise Suppression of Column Readout Circuit in CMOS Image Sensor

著者名: 前橋 雄(キヤノン),松野 靖司(キヤノン),吉田 大介(キヤノン),新谷 悟(キヤノン)

著者名(英語): Yu Maehashi(Canon Inc.),Yasushi Matsuno(Canon Inc.),Daisuke Yoshida(Canon Inc.),Satoru Shingai(Canon Inc.)

キーワード: ＣＭＯＳイメージセンサ|列回路|読み出し回路|スイッチングノイズ|チャネルチャージインジェクション|CMOS Image Sensor|Column Circuit|Readout Circuit|Switching Noise|Channel Charge Injection

要約(日本語): CMOSイメージセンサの読み出し回路は通常スイッチトキャパシタ回路で構成され、スイッチングノイズの低減が課題となるが、その高集積度ゆえ1列あたりに搭載可能な素子数が制限されるため、少ない素子数でスイッチングノイズを低減することが求められる。本報告ではスイッチトキャパシタ回路のスイッチングノイズが読み出し回路に及ぼす影響とその対策について述べる。

要約(英語): Readout circuits in CMOS image sensor are usually composed of switched-capacitor circuits, and reduction of switching noise is required. However, due to its high density of integration, the number of elements that can be mounted per column is limited so that we have to suppress switching noise with fewer elements. In this report, we discuss the effect of switching noise on the readout circuit and its countermeasures.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 460 Kバイト