プロセスばらつきを考慮した仮想接地構造を有する断熱的10T SRAMの評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18066

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/10/11

タイトル(英語): Evaluation of 10T Adiabatic SRAM with Virtual Ground Structure under CMOS Process Variation

著者名: 伊藤 凛太郎(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学),関根 敏和(岐阜大学)

著者名(英語): RINTARO ITO(Gifu University),Yasuhiro Takahashi(Gifu University),Toshikazu Sekine(Gifu University)

キーワード: ＦｉｎＦＥＴ　|ＳＲＡＭ|断熱論理|素子ばらつき|FinFET|SRAM|adiabatic logic|device variation

要約(日本語): 本論文では提案したバーチャルグランド構造を有する断熱的FinFET SRAMのばらつき耐性の評価を行う．本回路はバーチャルグランド構造によってSRAMの消費エネルギーの大部分である保持モード時の消費エネルギーを削減する．また，入力信号および書き込み・読み込み信号に台形波を用いることで断熱的論理を適用し，低消費電力モード(LPモード)のFinFETを使用することで更なる省エネルギー化を実現している．モンテカルロシミュレーションにより，提案回路の各評価指標のばらつきは十分に小さいことが確認できた．

要約(英語): In this paper, we evaluate the device variation of the proposed adiabatic FinFET SRAM with the virtual ground structure. This proposed circuit with the virtual ground structure can be reduced the energy consumption in the holding mode, which is the major part of the SRAM energy consumption, Also, by using trapezoidal wave as input signal and write/read signal, and using FinFET of low power consumption mode (LP mode), further energy saving of the proposed adiabatic SRAM is realized. Through Monte Carlo simulation, the results show that the variation of each evaluation index of the proposed circuit is sufficiently small compared with the conventional.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 1,010 Kバイト