高耐圧を考慮したRFCを用いないE級電力増幅器の設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18068

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/10/11

タイトル(英語): Design of Class-E Power Amplifier without RFC to consider High Switch Voltage

著者名: 藤原 嵩(東京理科大学),松浦 達治(東京理科大学),岸田 亮(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学)

著者名(英語): Takashi Fujiwara(Tokyo University of Science),Tatsuji Matsuura(Tokyo University of Science),Ryo Kishida(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science)

キーワード: Ｅ級電力増幅器|スイッチング増幅器|高周波|耐圧|有限のチョークコイル|Ｅ級スイッチング|Class-E Power Amplifier|switching amplifier|RF|voltage capability|Finite-DC feedback inductor|Class-E switching

要約(日本語): 一般的なE級電力増幅器ではスイッチのソースドレイン間に電源電圧の3.5～3.6倍の電圧がかかる。共振回路を追加することでコンデンサに高調波を流入させ、スイッチ電圧を軽減できる構成のE級電力増幅器が提案されているが、その回路ではRFCと呼ばれる大きなインダクタを使用しなくてはならない。本稿ではRFCを用いずに、スイッチ電圧を低減できるE級電力増幅器の回路構成を提案する。

要約(英語): In conventional class-E power amplifier(PA), a drain peak voltage reaches to 3.5～3.6 times of a supply voltage. A reduced switch voltage is shaped by using resonant circuits tuned to third harmonic of the switching frequency.This paper shows a class-E power amplifier (PA) with finite DC-feed inductor designed to obtain a flat switch voltage waveform.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,048 Kバイト