SOTBプロセスを用いるブートストラップスイッチの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18072

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/10/11

タイトル(英語): Bootstrapped switch in SOTB CMOS

著者名: 大津 俊貴(東京都市大学),傘 昊(東京都市大学),松浦 達治(東京都市大学),堀田 正生(東京都市大学),江幡 友彦(ルネサスエレクトロニクス),松井 徹郎(ルネサスエレクトロニクス),松本 哲也(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Toshiki Ohtsu(Tokyo City University),Hao San(Tokyo City University),Matsuura Tatsuji(Tokyo City University),Masao Hotta(Tokyo City University),Tomohiko Ebata(Renesas Electronics),Tetsuo Matsui(Renesas Electronics),Tetsuya Matsumoto(Renesas Electronics)

キーワード: ＳＯＴＢ|ブートストラップスイッチ|SOTB|Bootstrapped Swich

要約(日本語): SOTBプロセスのバックゲート電圧制御手法を活用し，SOTBプロセスを用いる低電圧高精度ブートストラップスイッチ回路構成手法を提案した．SPICEシミュレーション結果により提案手法の有効性と提案回路構成の実現可能性を確認できたので，ここで報告する．

要約(英語): We have proposed and designed a CMOS bootstrapped switch in 65nm SOTB CMOS. SPICE simulation results show the feasibility of proposed technique.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,373 Kバイト