容量を用いたSuspended-Gate FETのモデル化の検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18078

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/10/12

タイトル(英語): Verification of Suspended-Gate FET using capacitance model

著者名: 松本 明樹(岐阜大学),高橋 康宏(岐阜大学)

著者名(英語): Haruki Matsumoto(Gifu University),Yasuhiro Takahashi(Gifu University)

キーワード: 浮遊ゲートＦＥＴ|断熱的論理|ＳＰＩＣＥモデル|Suspended-Gate FET|Adiabatic logic|SPICE model

要約(日本語): Suspended-Gate FET (SGFET) は，電圧を印加することでゲート電極を変形させ，機械的接触により導電路を作る素子である。以前，我々は電圧制御電圧源を用いたN型およびP型SGFETモデルを提案したが，消費電力等のシミュレーションに不備があった。そのため本論文では容量負荷を用いたSGFETの等価モデルを作成し，動作の検証を行う。

要約(英語): Suspended-gate FET (SGFET) is a device that　deforms the electrode by mechanical contact. We　previously proposed NMOS and PMOS SGFET model　using voltage source, but the proposed model had an　insufficient point for energy dissipation. Therefore, in　this paper we propose a SGFET model using a　capacitance and verify its operation.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 966 Kバイト