RFマグネトロンスパッタ法で形成したCr添加AlN膜の圧電特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT18105

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2018/12/07

タイトル(英語): Piezoelectric properties of Cr doped AlN film grown by RF magnetron sputtering deposition

著者名: 鈴木 雅視(山梨大学),早川 竜盛(山梨大学),垣尾 省司(山梨大学)

著者名(英語): Masashi Suzuki(University of Yamanashi),Ryusei Hayakawa(University of Yamanashi),Shoji Kakio(University of Yamanashi)

キーワード: ＡｌＮ圧電膜|スパッタ膜|電気機械結合係数|AlN piezoelectric film|sputtering|Electromechanical coupling factor

要約(日本語): AlN 薄膜共振子(FBAR)は移動体通信端末用の周波数フィルタとして応用されている。しかしAlN FBARはフィルタの帯域幅を決定する電気機械結合係数が小さいため，他元素材料添加によるAlN薄膜の圧電性増幅現象が注目を集めている。本研究では，c軸配向CrAlN薄膜形成，電気機械結合係数値の評価を行い，Cr添加による影響を調査した。Cr0.01Al0.99N薄膜の電気機械結合係数 (=5.5 %)がAlN薄膜の約1.4倍となり，Cr添加による電気機械結合係数増幅が確認できた。

要約(英語): Recently, enhancement of piezoelectricity in other element doped AlN film have been attracted attention as a piezoelectric film, because the kt^2 of AlN FBARs is relatively small. In this study, We investigated the effect of Cr doping to AlN films on kt^2. The kt^2 of Cr0.01Al0.99N film is approximately 1.4 times higher than that of the pure AlN film.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 845 Kバイト