28nm FD-SOIプロセスNMOSFETにおけるRFモデリング

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19010

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/01/24

タイトル(英語): RF modeling in 28 nm FD-SOI process NMOSFET

著者名: 福田 裕希(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Yuki Fukuda(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

キーワード: ２８ｎｍ　ＦＤ－ＳＯＩ|ＲＦモデリング|Ｓパラメーター|ＬＶＴ　ＮＭＯＳＦＥＴ|しきい値電圧|ローパスフィルタ|28nm FD-SOI|RF Modeling|S parameter|LVT NMOSFET|Threshold voltage|Low pass filter

要約(日本語): Sパラメーターにおいて28nmFDSOIプロセスNMOSFETのRFモデリングを行った。NMOSFET単体のTEGを測定した際、周波数が高くなるにつれて、寄生容量の影響が大きくなり、Sパラメーターのシミュレーション結果と実測結果に誤差が出てしまう。この誤差を小さくすることで、精度の高いシミュレーションが可能となる。200MHzから50GHzの周波数範囲において、今回提案するモデリングトランジスタを用いることで、その実現を目標とした。

要約(英語): RF modeling of 28 nm FDSOI process NMOSFET in S parameter was performed. When TEG of NMOSFET is measured, the influence of the parasitic capacitance increases as the frequency increases, and an error occurs in the simulation result of the S parameter and the measurement result. By reducing this error, highly accurate simulation is possible. In the frequency range from 200 MHz to 50 GHz, we aimed to realize it by using the modeling transistor proposed this time.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,111 Kバイト