温度によって変化するMOSFETのキャリア移動度を周波数に変換する回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/06/20

タイトル(英語): Circuit of MOSFET for converting carrier mobility, which changes with temperature, to frequency

著者名: 新井 大晴(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Taisei Arai(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

キーワード: 移動度|温度|発振器|ＰＴＡＴ|mobility|temperature|oscillator|PTAT

要約(日本語): 強反転領域で動作するMOSFETにおいて、しきい電圧とキャリア移動度は温度に依存する。そのため、温度が補償されない回路では出力信号が温度によって変化する。しきい電圧の温度特性を補償すると、出力信号の温度特性がキャリア移動度のみに依存する。本稿ではキャリア移動度の温度特性を周波数に変換する発振回路を提案し、動作を確認した。この発振回路は温度補償に使うことができる。

要約(英語): Compensating the temperature characteristic of the threshold voltage in the MOSFET operating in the strong inversion region, the temperature characteristic of the output signal depends only on the carrier mobility. In this paper, we propose an oscillator that converts temperature characteristics of carrier mobility to frequency and confirm its operation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 945 Kバイト