低電圧回路の温度補償動作に向けた多端子MOSFETの等価モデルの提案と動作解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/06/21

タイトル(英語): Proposal and operation analysis of equivalent model of multi-terminal MOSFET for temperature compensation operation of low voltage circuit

著者名: 浅野 大樹(山形大学),原田 知親(山形大学)

著者名(英語): Taiki Asano(Yamagata University),Tomochika Harada(Yamagata University)

キーワード: 多端子ＭＯＳＦＥＴ|温度センサ|等価モデル|温度補償|Multi-terminal MOSFET|Temperature sensor|Equivalent model|Temperature compensation

要約(日本語): 低電圧アナログ回路は動作範囲が狭くなるため、温度変化やプロセスばらつきなどの補償が必要になる。そこで先行研究にて温度によるしきい値変化を利用した多端子MOSFET型温度検出素子を作製し、温度検出が可能と分かったことから、多端子MOSFETを用いてトランジスタ数を抑えた低電圧動作の差動増幅回路向け温度補償回路を設計した。設計するにあたりシミュレーション解析が困難な多端子MOSFETの等価モデルを作製して、その妥当性を検討し、その後低電圧動作の回路へ組み込んで評価を行った。

要約(英語): Since the low voltage analog circuit has a narrow operating range, compensation such as temperature change and process variation is required. Therefore, a multi-terminal MOSFET type temperature detection device was fabricated in the previous research using threshold change due to temperature, and it was found that temperature detection was possible. Therefore, low voltage operation with a reduced number of transistors using multi-terminal MOSFET We designed a temperature compensation circuit for the differential amplifier circuit. We made an equivalent model of multi-terminal MOSFET, which is difficult to analyze by simulation in designing, examined its validity, and then incorporated it into a low voltage operation circuit and evaluated it.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,061 Kバイト