弱反転領域動作MOSFETの温度特性のモデル化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/09/19

タイトル(英語): Modeling of MOSFET temperature characteristics in the subthreshold region operation

著者名: 北島 浩司(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Koji Kitajima(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

キーワード: 弱反転領域|モデル化|温度特性|ＭＯＳＦＥＴ|パラメータ|順バイアス| subthreshold region|modeling|temperature characteristic|MOSFET|parameter|forward bias

要約(日本語): MOSFETのモデルはBSIM3、BSIM4が広く用いられている。しかし、弱反転領域においてソース-バルク間およびドレイン-バルク間に順バイアスがかかっている場合の温度特性については、モデル化が十分でない。本研究では、弱反転領域で動作するP-MOSFETについて温度特性に着目したモデル式を検討した。180nm Bulk CMOSで試作したP-MOSFETの実測結果からパラメータを抽出し、モデル式による特性、実測値、BSIM3モデルによる特性を比較、検討した。

要約(英語): BSIM3 and BSIM4 are widely used as MOSFET models. However, modeling is not sufficient for temperature characteristics when source-bulk and drain-bulk are forward biased in the subthreshold region. In this study, we examined a model equation focusing on the temperature characteristics of P-MOSFET operating in the subthreshold region. Parameters were extracted from the actual measurement results of the P-MOSFET fabricated in 180 nm Bulk CMOS, and the characteristics by the model formula, the actual measurement values, and the characteristics by the BSIM3 model were compared and examined.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,085 Kバイト