PAM-4を用いたチャネル多重方式とCDR回路カスケード接続方式を採用した高速大容量ストレージ向け25.6Gb/sリングトポロジー型インターフェース

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19075

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/12/06

タイトル(英語): A 25.6Gb/s Interface Employing PAM-4-Based 4-Channel Multiplexing and Cascaded CDR Circuits in Ring Topology for High-Bandwidth and Large-Capacity Storage Systems

著者名: 都井 敬(キオクシア),弘原海 潤治(キオクシア),小林 弘幸(キオクシア),清水 優(キオクシア),佐藤 裕治(キオクシア),森本 誠(キオクシア),伊藤 類(キオクシア),芦田 光行(キオクシア),坪内 雄大(キオクシア),野澤 舞(キオクシア),浦川 剛(キオクシア),藤本 竜一(キオクシア),出口 淳(キオクシア)

著者名(英語): Takashi Toi(KIOXIA Corporation),Junji Wadatsumi(KIOXIA Corporation),Hiroyuki Kobayashi(KIOXIA Corporation),Yutaka Shimizu(KIOXIA Corporation),Yuji Satoh(KIOXIA Corporation),Makoto Morimoto(KIOXIA Corporation),Rui Ito(KIOXIA Corporation),Mitsuyuki Ashida(KIOXIA Corporation),Yuta Tsubouchi(KIOXIA Corporation),Mai Nozawa(KIOXIA Corporation),Go Urakawa(KIOXIA Corporation),Ryuichi Fujimoto(KIOXIA Corporation),Jun Deguchi(KIOXIA Corporation)

キーワード: ＰＡＭ－４|広帯域|大容量|ストレージシステム|ＮＡＮＤフラッシュメモリ|高速インターフェース|PAM-4|high bandwidth|large capacity|storage system|NAND flash memory|high speed interface

要約(日本語): 本論文では高速大容量ストレージシステム向け新規シリアルI/Fを提案する。(1)リングトポロジー(2)PAM-4を用いたチャネル多重方式(3)CDR回路カスケード接続方式を採用し、従来例と比べて高速化と低電力化を実現した。28nmプロセスで試作したTRXは3.69pJ/bのエネルギー効率で25.6Gb/sの通信を実現し、I/FとしてもFoM=1.80PKG・Gb/s/mWが達成可能となった。

要約(英語): This paper presents an alternative interface for high-bandwidth and large-capacity storage system. Adopted PAM-4 based 4-channel multiplexing and cascaded CDR circuits on ring topology reduce power/area consumption and easily identify channels in analog region. The transceiver fabricated in 28nm CMOS achieves 3.69pJ/b at 25.6Gb/s PRBS31 and the proposed interface can achieve the state-of-the-art FoM of 1.80 PKG・Gb/s/mW.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,571 Kバイト