高頻度刺激と発振周波数に依存したシナプス電子回路モデルの構築

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19085

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/12/18

タイトル(英語): Construction of synaptic electronic circuit model depending on high frequency stimulation and oscillation frequency

著者名: 三角 剛(日本大学),唐鎌 侑馬(日本大学),佐伯 勝敏(日本大学),佐々木 芳樹(日本大学)

著者名(英語): tsuyoshi misumi(nihon university),yuuma karakama(nihon univetsity),katsutoshi saeki(nihon university),yoshiki sasaki(nihon university)

キーワード: ＴＳＴＤＰ|ＣＭＯＳ|テタヌス刺激|ニューロン|シナプス|電子回路|TSTDP|CMOS|tetanus stimulation|neuron|synapse|electronis cicuit

要約(日本語): 先に我々は，シナプスに結合している前後の細胞体の発振タイミング（Tpre，Tpost），発振順序，発振周波数に依存して学習効率を変化させるTSTDP特性を再現可能な電子回路モデルを提案した．しかしこのモデルではTpost-Tpreが正の場合でのみでしか周波数依存性を持たない．今回，Tpost-Tpreが負の場合においても周波数依存性を持ち，増強側において高頻度刺激の周波数に応じて，シナプス強度が変化するモデルを作製した．その結果，Tpost-Tpreが負の場合においても周波数依存性を持ち，高頻度刺激の周波数が高いほどシナプス強度の変化量が大きくなるというデータが得られた．

要約(英語): We previously proposed an electronic circuit model that can reproduce the TSTDP (triplet spike timing dependent synaptic plasticity) characteristics. However, this model has frequency dependence only when Tpost-Tpre is positive. In this paper, we propose a model that has frequency dependence even when Tpost-Tpre is negative, and that the synaptic strength changes according to the frequency of high frequency stimulation on the enhancement side. As a result, even if Tpost-Tpre is negative, the frequency dependence is obtained, and the change in synaptic strength increases as the frequency of high frequency stimulation increases.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 983 Kバイト