チップ上の温度勾配検出に用いるPTAT電圧発生回路の温度係数の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT19095

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2019/12/18

タイトル(英語): Examination of temperature coefficient of PTAT voltage generator used for temperature gradient detection on chip

著者名: 小林 洵也(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)

著者名(英語): Junya Kobayashi(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|温度勾配|温度係数|ＰＴＡＴ|しきい電圧|センサ|MOSFET|Temperature gradient|Temperature coefficient|PTAT|Threshold voltage|sensor

要約(日本語): 近年、集積回路において、高い電力密度を持つ領域が存在し、一様でない温度勾配を生じさせる。この温度勾配が電子機器の正常動作に影響を与えるため熱管理の重要性が増している。本稿では、PTAT電圧発生回路を実際にチップ上に配置し、熱源から発生する温度分布の検出することを目的とする。また、温度検出精度を上げるためにPTAT電圧発生回路の温度係数を高くした回路を提案する。これらの回路をレイアウトし、チップ上に配置した。

要約(英語): As temperature gradient on the IC chip affects the normal operation of electronic devices, thermal management on chip is important. In this paper, the temperature distribution generated from the heat source by actually placing the PTAT voltage generator on the chip shown. We propose a circuit with a higher temperature coefficient of the PTAT voltage generation circuit in order to improve the temperature detection accuracy.

原稿種別: 日本語

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