任意のデューティ比で設計可能なParallel Circuit E/F級電力増幅器の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT20023

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2020/01/23

タイトル(英語): Study of Parallel Circuit Class-E/F Power Amplifier at Any Duty Ratio

著者名: 藤原 嵩(東京理科大学),松浦 達治(東京理科大学),岸田 亮(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学)

著者名(英語): Takashi Fujiwara(Tokyo University of Science),Tatsuji Matsuura(Tokyo University of Science),Ryo Kishida(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science)

キーワード: Ｅ級電力増幅器|スイッチング増幅器|Ｅ級スイッチング|有限チョーク|Class E power amplifier|Switching amplifier|Class E switching|finite choke

要約(日本語): E級電力増幅器における集積回路素子のドレイン-ソース間には、電源電圧の3.56倍程度の電圧がかかり、MOSFETの経年劣化や破壊を引き起こす。カスコード接続を用いることで対策は可能だが、寄生容量により設計可能な周波数帯域は大きく制限される。本稿では、デューティ比の変更と共振回路を用いた高調波の利用によって、カスコード接続を用いる事なくスイッチ電圧を軽減できるE級電力増幅器の回路構成を提案する。

要約(英語): Since　drain-source voltage is applied by about 3.56 times of a power suppy votage to MOSFETs in the class-E power amplifier (PA),MOSFETs degrade or break.Although using cascode conection solve the issue,frequency band is limited by parasitic capacitance. This paper proposes class-E PA to reduce switch votage without cascode connection by changing the duty ratio and using harmonics._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,075 Kバイト