セルフスイッチングバイアスを用いたアクティブインダクタ電圧制御発振器の位相雑音低減に関する研究
セルフスイッチングバイアスを用いたアクティブインダクタ電圧制御発振器の位相雑音低減に関する研究
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ECT20033
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会
発行日: 2020/03/09
タイトル(英語): Study on phase noise reduction of active inductor voltage-controlled oscillator using self-switching bias
著者名: 七田 洸介(法政大学),安田 彰(法政大学),吉野 理貴(法政大学),山下 喜市(法政大学)
著者名(英語): Kosuke Shichita(Hosei University),Akira Yasuda(Hosei University),Riki Yoshino(Hosei University),Kiichi Yamashita(Hosei University)
キーワード: 電圧制御発振器|アクティブインダクタ|位相雑音|セルフスイッチングバイアス|1/fノイズ|Voltage-Controlled Oscillator|Active inductor|phase noise|self-switching bias|1/f noise
要約(日本語): 本稿では,アクティブインダクタを用いた電圧制御発振器(VCO)にセルフスイッチングバイアスを応用したVCOを提案する。提案したVCOは,電流源トランジスタの入力をスイッチングすることにより1/f雑音を低減することが可能である。180nmプロセスでの位相雑音シミュレーション結果は,発振周波数800MHz,オフセット周波数1MHzで-107.3dBc/Hz,消費電力は7.8mWであった。
要約(英語): This paper proposes a Voltage-Controlled Oscillator (VCO) using an active inductor and self-switching bias technique. The proposed VCO can reduce 1/f noise by switching the input of the current source transistor. The phase noise and power consumption at 800MHz of the proposed VCO designed for a 180nm CMOS process show ?107.3 dBc/Hz at 1MHz offset frequency, and 7.8 mW, respectively.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,394 Kバイト
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