画素内SS-ADCを用いたCMOSイメージセンサ広ダイナミックレンジ化の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT20042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2020/06/04

タイトル(英語): A study of wide dynamic range CMOS image sensor using in-pixel SS-ADC

著者名: 大場 栄一(青山学院大学大学院),稲垣 雄志(青山学院大学),松谷 康之(青山学院大学)

著者名(英語): Eiichi Oba(Aoyama Gakuin University Graduate School of Science and Engineering),Yuji Inagaki(Aoyama Gakuin University),Yasuyuki Matsuya(Aoyama Gakuin University)

キーワード: ＣＭＯＳイメージセンサ|画素ＡＤＣ|オーバーフロー電荷|広ダイナミックレンジ|CMOS image sensor|Pixel ADC|Overflow charges|Wide dynamic range

要約(日本語): イメージセンサは、フォトダイオードで光電変換により生じた電荷を画素内の容量に蓄積し、照度を電荷量として検出する。蓄積できずに容量から溢れた電荷は照度判定に用いることが出来ないため、従来センサのダイナックレンジは容量値により制限される。本検討では、高照度時に容量から溢れた電荷を画素内SS-ADCで変換する事でダイナックレンジの拡大を図る回路を提案し、シミュレーションにて動作を確認した。

要約(英語): A wide dynamic range CMOS image sensor is required to enable imaging in situations where the difference in brightness is large. In this study, we proposed a wide dynamic range CMOS image sensor that reads high-illuminance signals using an in-pixel SS-ADC. We confirmed the operation and characteristics by simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,074 Kバイト