PD飽和時間検出方式CMOSイメージセンサにおける入出力特性改善の研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT20083

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2020/12/17

タイトル(英語): A study on characteristic improvement of a CMOS image sensor with PD saturation time detection

著者名: 大野 航生(青山学院大学),稲垣 雄志(青山学院大学),松谷 康之(青山学院大学)

著者名(英語): Koki Ono(Aoyama Gakuin University Graduate School of Science and Engineering),Yuji Inagaki(Aoyama Gakuin University),Yasuyuki Matsuya(Aoyama Gakuin University)

キーワード: ＣＭＯＳイメージセンサ|画素並列ＡＤ変換|ＰＤ飽和時間検出|広ダイナミックレンジ|オーバーフロー電荷|CMOS Image Sensor|Pixel-Parallel ADC|PD Saturation Time Detection|Wide Dynamic Range|Overflow Charge

要約(日本語): PD飽和時間検出方式のイメージセンサはPDに蓄積された電荷の読み出しに加え、PDが飽和するまでの時間を検出することでダイナミックレンジを拡大できる。しかし、PDが飽和してから検出されるまでの間に不感照度が存在し、入出力特性が劣化してしまう問題点がある。本研究ではこの問題に対し、不感照度で生じるオーバーフロー電荷を読み出すことにより不感照度を削減し、入出力特性を改善した。

要約(英語): In this research, we proposed a method that read out the overflow charge to reduce insensitive illuminance. Compared with previous research, the proposed circuit reduced a dead zone of illuminance detection and improved input-output characteristics. We confirmed the operation and characteristics of simulations.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 719 Kバイト