PTAT電圧発生回路の温度係数向上の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT20084

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2020/12/17

タイトル(英語): Examination of temperature coefficient improvement of PTAT voltage generation circuit

著者名: 小林 洵也(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Junya Kobayashi(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|温度勾配|温度係数|しきい電圧|ＰＴＡＴ|センサ|MOSFET|Temperature gradient|Temperature coefficient|Threshold voltage|PTAT|Sensor

要約(日本語): 近年、集積回路において、高い電力密度を持つ領域が存在し、一様でない温度勾配を生じさせる。この温度勾配が電子機器の正常動作に影響を与えるため熱管理の重要性が増している。本稿では、PTAT電圧発生回路を用いて熱源から発生する温度分布の検出することを目的とする。温度検出精度を上げるため、従来のPTAT電圧発生回路とソース接地回路を組み合わせ、温度係数を大きくしたPTAT電圧発生回路を提案する。提案回路を試作し、検証した。

要約(英語): In recent years, thermal management is becoming more important because temperature gradient affects the normal operation of electronic devices. In this paper, in order to improve the temperature detection accuracy, we propose a PTAT voltage generation circuit with a large temperature coefficient by combining a conventional PTAT voltage generation circuit and a source grounding circuit. The proposed circuit was prototyped and verified.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,036 Kバイト