C8F18 プラズマCVD による低誘電率膜堆積とその化学的、電気的特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED05067

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　放電研究会

発行日: 2005/08/04

タイトル(英語): Deposition of low-k films by C8F18 plasma CVD and their chemical and electrical characteristics

著者名: 田津将太 (相毎道大学),酒井 洋輔(相毎道大学),須田 善寺子(相毎道大学),菅原 広剛(相毎道大学)

著者名(英語): Shota Tazawa(Hokkaido University),Yosuke Sakai(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University)

キーワード: 低誘電率層間絶縁膜|プラズマCVD|C8F18|絶縁破壊電圧

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,227 Kバイト