真空ナノエレクトロニクス素子の切片傾きチャートによる解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED05149

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門　放電研究会

発行日: 2005/12/08

タイトル(英語): Seppen-Katamuki Analysis of Vacuum Nano electronics Devices

著者名: 後藤 康仁(京都大学大学院工学研究科電子工学専攻),辻 博司(京都大学大学院工学研究科電子工学専攻),石川 順三(京都大学大学院工学研究科電子工学専攻)

著者名(英語): Yasuhito Gotoh(Department of Electronic Science and Engineering,Kyoto University),Hiroshi Tsuji(Department of Electronic Science and Engineering,Kyoto University),Junzo Ishikawa(Department of Electronic Science and Engineering,Kyoto University)

キーワード: 真空ナノエレクトロニクス素子|電子放出特性|ファウラーノルドハイムプロット|切片傾きチャート|仕事関数|先端曲率半径

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 925 Kバイト