BSO結晶を用いた表面電荷測定系の基礎特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED11039

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2011/06/04

タイトル(英語): characteristics of surface charge measurement system using a BSO crystal

著者名: 松田 紘和(岩手大学),笛 宏行(岩手大学),向川 政治(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),藤原 民也(岩手大学)

著者名(英語): Matsuda Hirokazu(Iwate university),Fue Hiroyuki(Iwate university),Mukaigawa Seiji(Iwate university),Takaki Koichi(Iwate university),Fujiwara Tamiya(Iwate university)

キーワード: 表面電荷密度測定|ケイ酸ビスマス（ＢＳＯ）　|ポッケルス効果|レーザー干渉|電気光学定数|マイクロギャップ誘電体バリア放電　|measurement of surface charge density|bismuth silicate (BSO)|Pockels effect |laser interferometry|electro-optic constant|micro-gap dielectric-barrier discharge

要約(日本語): マイクロギャップ誘電体バリア放電における誘電体表面上の電荷密度測定のため、ケイ酸ビスマス結晶(BSO)のポッケルス効果を用いた表面電荷測定系を構築し、その基礎特性を測定した。結晶に直流および交流電圧を印加し、平等電界中のBSO結晶に632.8nmのレーザー光を透過させ、出力光強度の変化を測定した結果、電界に比例した透過光強度が得られた。これより、BSO結晶の電気光学定数 1.12×10-12 m/Vの値を得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,564 Kバイト