TRIES蒸気中の電子輸送係数と電子衝突断面積

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED11090

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2011/10/21

タイトル(英語): Electron transport coefficients and electron collision cross sections of TRIES

著者名: 横田 卓也(北見工業大学),吉田 公策(北見工業大学)

著者名(英語): Takuya Yokota(Kitami Institute of Technology),Kosaku Yoshida(Kitami Institute of Technology)

キーワード: トリエトキシシラン|電子輸送係数|電子衝突断面積|ＡＴＳ実験|triethoxysilane|electron swarm parameter|electron collision cross sections |arrival-time spectra experiment

要約(日本語): TRIES（triethoxysilane, HSi(OC2H5)3）は，TEOSと同様に良好なステップカバレジ性を示し，かつ，低温成膜，高速成膜に優れたSiO2薄膜用CVDガスであることが報告されている。本報告では，ATS実験によりTRIES蒸気中の電子輸送係数（電離係数，電子ドリフト速度，縦方向拡散係数）をE/N=20-5000Tdの範囲で測定した結果を示す。また，スオーム法により電子衝突断面積セットを推定した結果についても報告する。

要約(英語): TRIES (triethoxysilane: HSi(OC2H5)3) is an attractive material in fabrication of SiO2 thin film. The present paper reports electron swarm parameters determined experimentally for E/N=20-5000 Td by the arrival-time spectra (ATS) method. We also determined the electron collision cross sections for TRIES by means of the Boltzmann equation analysis.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 953 Kバイト