DPP方式によるEUV光源と電子密度の測定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED12037

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2012/03/09

タイトル(英語): Measurement of EUV output and electron density in a Xe-based DPP source

著者名: 冨塚 拓(東京工業大学),Huang Bin(東京工業大学),渡辺 正人(東京工業大学),堀田 栄喜(東京工業大学)

著者名(英語): Tomizuka Taku(Tokyo Institute of Tecnology),Huang Bin(Tokyo Institute of Tecnology),Masato Watanabe(Tokyo Institute of Tecnology),Eiki Hotta(Tokyo Institute of Tecnology)

キーワード: ＥＵＶ|放電生成プラズマ|Ｚピンチプラズマ|半導体リソグラフィ|EUV|DPP|Z-pinch plasma|Semiconductor lithography

要約(日本語): キセノン（Xe）をターゲットとしてZピンチ放電生成プラズマによりEUV発光を行った。本実験では同軸二重ノズル型放電部により発生するデブリを抑え、EUV発光を効率良く生成した。また、Xeガス圧、電極間距離、RF予備電離電源を変化させることでEUV発光への影響を検証した。

要約(英語): The Xe-based gas jet type Z-pinch DPP EUV source was measured. A double nozzle gas type electrode was introduced to enhance the EUV signal by using He gas as gas curtain to mitigate the debris. Numerical results are presented for the characteristic of EUV signal. For the purpose of the relationship between the discharge condition and output signal intensity, we changed the Xe gas pressure, the electrode gap length and the RF pre-ionization power to check their effects on EUV output.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,086 Kバイト