パワー半導体を使用した疑似TRV印加による各種ガスのアーク消弧能力の基礎評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED15073

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2015/07/09

タイトル(英語): Fundamental Evaluation on Current Interruption Ability of Various Gases using quasi-TRV Application Controlled by Power Semiconductors

著者名: 中野 智之(金沢大学),村井 康佑(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),白石 竜朗(九州大学),清水 陽大(九州大学),富田 健太郎(九州大学),鈴木 克己(東京電機大学)

著者名(英語): Tomoyuki Nakano(Kanazawa university),Kosuke Murai(Kanazawa university),Yasunori Tanaka(Kanazawa university),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa university),Tatsuo Ishijima(Kanazawa university),Tatsuro Shiraishi(Kyusyu university),Takahiro Shimizu(Kyusyu university),Kentaro Tomita(Kyusyu university),Katsumi Suzuki(Tokyo denki university)

キーワード: ガス遮断器|ＳＦ６|アーク|GCB|SF6|Arc

要約(日本語): 筆者らは各種ガス吹付アークの電子密度測定実験を通してアーク遮断メカニズムを解明することを目標に研究を行っている。実験では，パワー半導体の1つであるIGBTを利用して意図的に直流アークを減衰させることでフリーリカバリ状態を再現する。このとき，IGBTをスイッチングすることで，任意の遅れ時間後に疑似的にTRVを印加することができる。これを利用して各種ガスのアーク消弧能力の評価を基礎的に行い，SF6の優れたアーク消弧能力を確認した。

要約(英語): This paper presents a fundamental study about current interruption abilities of gases. In the experiments, we use IGBT to reproduce the free recovery arcs. We applied voltage to the arcs under free recovery conditions to evaluate fundamental current interruption abilities of various gases. We confirmed that SF6 blowing quenches the arc around 30 micro seconds.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,642 Kバイト