IGBT型直流モデル遮断器の突入電流遮断特性－ゲート・エミッタ間電圧の時定数１０，５および１ｍｓ－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED15075

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2015/07/09

タイトル(英語): Rush-Current Breaking Properties of IGBT-Type DC Model Circuit Breaker -Gate-Emitter Voltage with Time Constants of 10, 5 and 1ms-

著者名: 横水 康伸(名古屋大学),大橋 亮介(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)

著者名(英語): Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Ryosuke Ohashi(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)

キーワード: 直流|遮断器|半導体|ＩＧＢＴ|限流|DC|Circuit Breaker|Semiconductor|IGBT|Current Limitation

要約(日本語): 低圧直流給電システムに適する新たな遮断器としてIGBT型低圧直流遮断器を提案している。これはIGBTのゲート・エミッタ間の電圧を時定数?GEで制御することで，故障発生時に素子抵抗を急激に増加させ，故障電流を限流遮断するものである。本論文は異なる時定数?GE=10ms，5ms，1msの場合について突入電流遮断実験を行なった結果，遮断容量や遮断過程で生じる過電圧という観点から5msが適しているといえる。

要約(英語): The model circuit breaker composed of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) has been constructed with the aim of usage under the low-voltage DC power delivery system.The present paper reports of current interruption experiments for various time constants of gate-emitter voltage of IGBT.

原稿種別: 日本語

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