軸外し傾斜基板を用いたAl添加ZnOのRFマグネトロンスパッタ成膜

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED16174

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2016/10/20

タイトル(英語): RF magnetron sputtering of the Al-doped ZnO using off-axis inclined substrate

著者名: 坂本 康平(長崎大学),佐藤 貴紀(長崎大学),小山田 俊介(長崎大学),松尾 直樹(長崎大学),篠原 正典(長崎大学),松田 良信(長崎大学)

著者名(英語): Kohei Sakamoto(Nagasaki Univ.),Takaki Sato(Nagasaki Univ.),Shunsuke Oyamada(Nagasaki Univ.),Naoki Matsuo(Nagasaki Univ.),Masanori Shinohara(Nagasaki Univ.),Yoshinobu Matsuda(Nagasaki Univ.)

キーワード: 透明導電膜|Ａｌ添加ＺｎＯ|ＲＦマグネトロンスパッタリング|軸外し|抵抗率|ホール効果測定|transparent conductive film|Al-doped ZnO|RF magntron sputtering|Off-axis deposition|resistivity|Hall effect measurement

要約(日本語): 10-4Ωcm台の抵抗率を有するAl添加ZnO膜を基板全体に均一に成膜することを研究目的として、RFマグネトロンスパッタリングによるAl添加ZnOの成膜実験を行った。通常の対向設置基板配置では、高エネルギー粒子がターゲット浸食領域対向部に入射する影響により、抵抗率が不均一分布する。そこで、ガラス基板、プラスチック基板をターゲット中心軸から外して45°に傾斜させて成膜したところ、均一な成膜特性が得られた。

要約(英語): To deposit Al-doped ZnO films with resistivity less than 10-3 Ωcm uniformly on a full substrate, RF magnetron sputtering was investigated. Glass or plastics (PET, PEN) substrates were placed parallel, and tilt up to 45 degrees to a target surface. Off-axis deposition with inclined substrates was effective for improving film quality and spatial uniformity in deposition rate, resistivity, and crystallinity. AZO films with resistivity less than 10-3 Ωcm were successfully deposited on off-axis inclined plastics substrates without substrate heating.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,350 Kバイト