ループ型Ar/N2/H2誘導熱プラズマを用いたTi基板表面の高速窒化試験

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ED17100

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電研究会

発行日: 2017/10/26

タイトル(英語): Rapid Nitridation of Ti Surface using Ar/N2/H2 Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas

著者名: 藤田 敦士(金沢大学),土谷 拓光(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),幸本 徹哉(株式会社シー・ヴィ・リサーチ),川浦 廣(株式会社シー・ヴィ・リサーチ)

著者名(英語): Atsushi Fujita(Kanazawa University),Takumi Tsuchiya(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University),Tetsuya Yukimoto(CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura(CV Research Corporation)

キーワード: 誘導熱プラズマ|ループ型|高速窒化|Ｔｉ|ＸＲＤ|Inductively Coupled Thermal Plasma|Loop Type|Rapid Nitridation|Titanium|X-Ray Diffraction

要約(日本語): 本論文では，ループ型Ar/N2/H2誘導熱プラズマ(ICTP)を用いたTi基板の高速窒化試験の結果を報告する。ループ型ICTP装置は，熱プラズマによる大面積表面処理を目指し，筆者らが独自開発した。ループ型ICTPの一部を基板上に生成・維持することで，基板全体に熱プラズマ照射できる。ICTPの圧力，ArおよびH2流量を様々に設定し，基板に照射した。生成された窒化膜の組成をXRDなどで分析評価した。

要約(英語): This paper describes experimental results on rapid surface nitridation of Ti substrates using a loop type of Ar/N2/H2 inductively coupled thermal plasma (loop-ICTP) torch. The Ar/N2/H2 loop-ICTP was irradiated directly to a Ti substrate to fabricate nitridation layer. Experiments were conducted with varying pressure, Ar flow rate and H2 flow rate. The fabricated nitride layer were evaluated by X-Ray Diffraction method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,252 Kバイト